Laadukkaat-sikarbidin yksittäiskiteet valmistetaan pääasiassa fysikaalisella höyrykuljetuksella (PVT) ja korkean-lämpötilan kemiallisella höyrypinnoituksella (HTCVD). PVT-menetelmä sublimoi piikarbidilähdejauhetta korkeassa lämpötilassa, jolloin sen sisältämät komponentit tiivistyvät siemenkiteen pinnalle, jolloin syntyy korkealaatuisia piikarbidin yksittäiskiteitä. HTCVD-menetelmällä syntetisoidaan piikarbidikiteitä korkeissa lämpötiloissa kemiallisen höyrypinnoituksen avulla.
